IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon और BSC005N03LS5IATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN08S7L033ATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) —
पैकेज PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (per LCSC listing)
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel

डेटाशीट और संसाधन

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