IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N034ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-43
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
حالة RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Technology — OptiMOS 5 (trench)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر