IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN08S7N034ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N006ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
מארז PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-43
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
סטטוס RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Technology — OptiMOS 5 (trench)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר