IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC28N08S5L230ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN10S7N021ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS-5 Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 28 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 23 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) — 2.5 V
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر