IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S7N021ATMA1 מאת Infineon ו IAUC28N08S5L230ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN10S7N021ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS-5 Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
מארז PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 28 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 23 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) — 2.5 V
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר