IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUS260N10S5N019TATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUS260N10S5N019TATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
العلبة PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 16 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate —
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
مستوى MSL — MSL1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر