IAUT300N10S5N015ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUT300N10S5N015ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N03L5SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUT300N10S5N015ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 300 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C | — |
| العلبة | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| مستوى MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | RoHS compliant (Green product) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| حالة RoHS | — | Compliant |