IAUT300N10S5N015ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT300N10S5N015ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUT300N10S5N015ATMA1 ISC011N03L5SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL لیول MSL1 (260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں