IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ20N08S5L300ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC64N08S5L075ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) 20 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 30 W (Tc) —
On-State Resistance (Rds(on)) 30 mΩ @ 10 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) ±20 V (max Vgs rating) —
Input Capacitance (Ciss) 599 pF @ 40 V —
Total Gate Charge (Qg) 10.5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: total gate charge]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-5) OptiMOS™ 5
حالة RoHS Compliant —
Part Number — IAUC64N08S5L075ATMA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A (TJ-limited)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 7.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 75 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
مستوى MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
عدد الدبابيس — 8

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر