IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ40N06S5L050ATMA1 بواسطة Infineon و BSC059N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر