IGLD60R070D1AUMA3 vs IGLR70R200D2SXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLD60R070D1AUMA3 بواسطة Infineon و IGLR70R200D2SXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IGLD60R070D1AUMA3 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 15 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 114 W | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | 1.26 nC |
| Output Charge (Qoss) | [DATA_NEEDED: Qoss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | Near zero (GaN technology) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 380 pF @ 400 V (per Utmel) | — |
| العلبة | PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| مستوى MSL | 3 | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Operating Temperature (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| Series | CoolGaN™ | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolGaN G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 °C to +150 °C |
| RoHS | — | Compliant |