IGLD60R070D1AUMA3 vs IGLR70R200D2SXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLD60R070D1AUMA3 بذریعہ Infineon اور IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLD60R070D1AUMA3 IGLR70R200D2SXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W 34 W
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 1.26 nC
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
پیکیج PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
MSL لیول 3 —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ —
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN G5
Channel Type — N-Channel
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40 °C to +150 °C
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں