IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB017N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon و BSC040N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB017N10N5LFATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) -55C to +150C
العلبة / الحالة PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
العلبة — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر