IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB017N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon و IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB017N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
العلبة / الحالة PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) 1
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
العلبة — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Marking Code — 020N10LF

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر