IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB017N10N5LFATMA1 توسط Infineon و IPB020N10N5LFATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB017N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited) 1
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
بسته‌بندی — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Marking Code — 020N10LF

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت