IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon و IPB017N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB020N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (unlimited)
Marking Code 020N10LF —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
العلبة / الحالة — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر