IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB020N10N5LFATMA1 מאת Infineon ו IPB017N10N5LFATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB020N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
מארז PG-TO263-3 (D2PAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (unlimited)
Marking Code 020N10LF —
Series — OptiMOS 5 Linear FET
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
מארז / Case — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר