IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB020N10N5LFATMA1 bằng Infineon và IPB017N10N5LFATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB020N10N5LFATMA1 | IPB017N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| Technology | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 176 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 289 A | — |
| Package-Limited Drain Current | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | 10.2 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 313 W | — |
| Hộp | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Marking Code | 020N10LF | — |
| Series | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 180 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 313 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ (max) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | — | Yes (OptiMOS Linear FET) |