IPB024N10N5ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon و IPD068N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB024N10N5ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
العلبة PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family policy) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر