IPB024N10N5ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB024N10N5ATMA1 توسط Infineon و IPD068N10N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB024N10N5ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) —
بسته‌بندی PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family policy) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت