IPB024N10N5ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon ו IPD068N10N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB024N10N5ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) —
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family policy) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר