IPB038N12N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB038N12N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB072N15N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB038N12N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
العلبة / الحالة PG-TO263-3 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Drive Logic-level compatible —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر