IPB039N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB039N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB039N10N3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
العلبة PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر