IPB039N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB039N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB039N10N3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں