IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R065C7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R040CFD7ATMA1 IPL60R065C7AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
تبديد القدرة (TC=25°C) 227 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (T_J)
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant with Exemption
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS C7
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
العلبة / الحالة — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر