IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPL60R065C7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R040CFD7ATMA1 IPL60R065C7AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
اتلاف توان (TC=25°C) 227 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (T_J)
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant with Exemption
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS C7
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Process Technology — CoolMOS C7 (Superjunction)
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 29 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) — 65 mΩ
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) — 180 W
Gate-Source Voltage (V_GS, max) — ±20 V
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) — 3.5 V
بسته‌بندی / کیس — PG-VSON-4-1 (Source-Down)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — No
Total Gate Charge (Q_G, typ.) — [DATA_NEEDED: Q_G typ. value]
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) — [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت