IPC100N04S51R7ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC100N04S51R7ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
العلبة PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
حالة RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر