IPC100N04S51R7ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC100N04S51R7ATMA1 bằng Infineon và IAUC60N04S6L030HATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC100N04S51R7ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 100 A (at TC) | — |
| Pulsed Drain Current IDM | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD | 115 W (at TC) | — |
| Thermal Resistance RthJC | 1.3 K/W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |