IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R1ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic Level
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested 100% avalanche tested
حالة RoHS Compliant (Green Product) —
Built-in Body Diode Yes —
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر