IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPC100N04S51R7ATMA1 توسط Infineon و IPC100N04S5L1R1ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic Level
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested 100% avalanche tested
وضعیت RoHS Compliant (Green Product) —
Built-in Body Diode Yes —
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت