IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC100N04S5L1R5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUS260N10S5N019TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC100N04S5L1R5ATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Polarity / Channel Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 115 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 1.5 mOhm (typ) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V 1.8 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55 C to +175 C (Tj)
العلبة PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (260C peak reflow) —
AEC-Q101 Qualified Yes —
حالة RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% —
Product Series — OptiMOS 5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
عدد الأطراف — 16
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Technology — OptiMOS 5 trench-gate
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر