IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD30N10S3L34ATMA1 بواسطة Infineon و IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD30N10S3L34ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55°C to +175°C
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
مستوى MSL 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
العلبة / الحالة — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
حالة RoHS — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر