IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD30N10S3L34ATMA1 מאת Infineon ו IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD30N10S3L34ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
סוג טרנזיסטור N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55°C to +175°C
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
רמת MSL 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
סטטוס RoHS — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר