IPD50N04S408ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50N04S408ATMA1 بواسطة Infineon و IPB120N04S402ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD50N04S408ATMA1 | IPB120N04S402ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T2 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| مستوى MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 158 W |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |