IPD50N04S408ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N04S408ATMA1 מאת Infineon ו IPB120N04S402ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N04S408ATMA1 | IPB120N04S402ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T2 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| רמת MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 158 W |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| מספר פינים | — | 3 (2 + Tab) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| רמת רגישות ללחות (MSL) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |