IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50N10S3L16ATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPD50N10S3L16ATMA1 | IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 50 A |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 5.5 mΩ |
| Gate Threshold VGS(th) | — | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 42 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | — | 3.6 K/W |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Avalanche Rating | — | 100 % Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |