IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50P04P413ATMA2 بواسطة Infineon و IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD50P04P413ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
العلبة PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
عدد الدبابيس — 3 (2 + Tab)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر