IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50P04P413ATMA2 bằng Infineon và IPD90P04P4L04ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2
IPD50P04P413ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50P04P413ATMA2 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity / Device Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-P2 (Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | 58 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | 175 °C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | 2500 pcs | — |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Số lượng chân | — | 3 (2 + Tab) |