IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P413ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50P04P413ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin