IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50R380CEAUMA1 بواسطة Infineon و IPD60R210PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD50R380CEAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
Technology CoolMOS CE (super-junction) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (SMT)
حالة RoHS Compliant —
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر