IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50R380CEAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R210PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50R380CEAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Technology CoolMOS CE (super-junction) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMT)
RoHS Durumu Compliant —
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin