IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50R380CEAUMA1 بواسطة Infineon و IPD60R380C6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD50R380CEAUMA1 IPD60R380C6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
Technology CoolMOS CE (super-junction) CoolMOS C6 Superjunction
Channel Type N-Channel —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر