IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50R380CEAUMA1 توسط Infineon و IPD60R380C6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD50R380CEAUMA1 IPD60R380C6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
Technology CoolMOS CE (super-junction) CoolMOS C6 Superjunction
Channel Type N-Channel —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت