IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50R380CEAUMA1 מאת Infineon ו IPD60R380C6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD50R380CEAUMA1 IPD60R380C6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 500 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 14.1 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 380 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 98 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
Technology CoolMOS CE (super-junction) CoolMOS C6 Superjunction
Channel Type N-Channel —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
AEC-Q101 Automotive Not qualified (CE variant; use CE-A for automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר