IPD5N25S3430ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD5N25S3430ATMA1 بواسطة Infineon و IPB35N10S3L26ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD5N25S3430ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
حالة RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر