IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R385CPATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R380C6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R385CPATMA1 IPD60R380C6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C —
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Technology — CoolMOS C6 Superjunction
العلبة — PG-TO252-3 (DPAK)
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر