IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R385CPATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R385CPATMA1 IPD60R380C6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Technology — CoolMOS C6 Superjunction
پیکیج — PG-TO252-3 (DPAK)
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں