IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon ו IPD60R380C6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R385CPATMA1 IPD60R380C6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Technology — CoolMOS C6 Superjunction
מארז — PG-TO252-3 (DPAK)
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר