IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R600PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R600PFD7SAUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (Tj) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
تبديد القدرة (TC=25°C) — 227 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر