IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R600PFD7SAUMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPB60R040CFD7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R600PFD7SAUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Kemasan PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55°C to +150°C (Tj) —
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) — 227 W
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga